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怎样 控制清洁 室温度、湿度、气压和气流速率 ?

清洁 室的主要 成效 是提供一个康健的生涯 和消费 情形 ,缔造一个知足 照明、温度、湿度、噪音 、空气流量、压力、静态和卫生目的 如微振动情形 ,使相关的效劳 和产品 ,以知足 人们的康健需求的情形 ,提供一个优秀 的空间,情形 控制,从而有用 地提高 产品 的及格率,改善和提高 效劳 质量的相关目的 。


是以 ,清洁 室有许多成分 需求 控制。温度、湿度、气压和气流速率 是关键 点。


清洁 室温湿度控制

清洁 室的温湿度主要 凭证 工艺要求确定,但在知足 工艺要求的条件下,要思量 人的恬静 性。随着空气清洁度要求的提高 ,对温度和湿度的要求愈来愈 严酷 。


污染 工程温度的详细 要求将在前面 列出,但作为一样往常 准绳 ,随着加工精度的提高 ,对温度颠簸规模的要求会愈来愈 小。例如,在大规模集成电路发作 的光刻曝光历程中,玻璃与硅片作为掩模质料的热收缩 系数差要求愈来愈 小。直径100um的硅片,温度上升1度,就惹起 了0.24um线性收缩 ,以是 必需 有±0.1度的恒温,同时要求湿度值较低,因为 人出汗以后,对产品 能够 有污染 ,特殊 是钠的半导体车间,这种车间不应凌驾25度。


高湿度会招致 更多的效果 。当相对 湿度凌驾55%时,冷却水管壁暴露 。若是 它发作 在细密 装备 或电路中,就会惹起 种种事故。相对 湿度往往在50%生锈。此外,当湿度很高时,附着在硅片外貌的灰尘会被空气中的水分子化学地附着在外貌,这是很难去除的。相对 湿度、粘结力越高,则越难去除,但当相对 湿度低于30%时,又因为 静电颗粒对外貌吸附的浸染 ,还容易对少量 半导体器件发作 击穿。硅片消费 的最佳温度规模是35 - 45%。


清洁 室的气压划定

关于 大少数 清洁 空间,需求 维持 外部 压力(静压)高于外部 压力(静压),以防止 外部 污染 的侵入。压差的维护一样往常 应遵照 以下准绳 :

(1)清洁 空间的压力高于不清洁 空间的压力。

(2)高清洁 度空间的压力高于低清洁 度相邻空间的压力。

 (3)相通清洁 室之间的门要开向清洁 度级别高的房间。


 压差取决于新风量,新风量可以赔偿在这个压差下经过 裂痕 泄漏 的空宇量 。以是 压强差的物理意旨 是空气经过 清洁 室分别 误差 的阻力。


清洁 室中的气流速率 划定

这里讨论的气流速率 是指清洁 室内的气流速率 。在讨论详细 装备 时,将说明 其他清洁 室的气流速率 。


关于 湍流清洁 室因为 稀释 作用主要 经过 空气来镌汰 室内污染 ,以是 主要 接纳空气改动 这一看法,不直接接纳速率 看法,但室内空气速率 有以下要求;

(1)供气出口吻 流速率 不宜过高。与纯空调房间相比,速率 下降较快,分散 角较大。

(2)送风率的风机风速品级(如侧送)不应过大,以免颗粒在外貌回流,形成 污染 ,一样往常 不宜抵达 0.2m /s的速率 。


关于 平行流清洁 室(传统上称为层流清洁 室),速率 在横截面上是一个主要 的目的 ,因为 它主要 是由气流“活塞挤压”来驱动,以去除染料。已往,美国20gB的尺度是0.45米/秒。但是 ,了如指掌 ,云云 高速所需的透风 量是很是大的。为了浪费 动力 ,人们正在探求 降低一种风速的可行性。


在我国,空气污染 的手艺 措施和清洁工厂的设计规范 如下:

(1)垂直平行流(层流)清洁 室大于或即是0.25m/s

(2)水平 平行流(层流)清洁 室大于或即是0.35m/s研讨 批注 ,上述划定基本 切合污染 控制的要求,但以为 分别 的情形 应划分为分别 的品级,以便更好地反映节能的目的。


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